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2025-03-20
如何控制切割过程的冷却与润滑，提高碳化硅衬底TTV...半导体吧
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，在电子器件制造中展现出巨大潜力。然而，碳...
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2025-03-19
降低切割速度，可能导致切割力不稳定，不利于碳化硅...晶圆吧
在半导体材料加工领域，碳化硅（SiC）因其卓越的物理和化学性质，如高硬度、高热导率...
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2025-03-18
如何调整切割参数，以提高碳化硅衬底TTV均匀性晶圆吧
在半导体材料制造领域，碳化硅（SiC）因其卓越的物理和化学性质，如高硬度、高热导率...
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2025-03-17
磨轮修整方法，对于碳化硅衬底TTV的管控影响碳化硅吧
在半导体材料加工领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率...
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2025-03-14
碳化硅衬底边缘TTV测量的意义和影响晶圆吧
在半导体材料科学中，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率和...
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2025-03-13
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV...碳化硅吧
在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学性质，正逐渐成为功率器件、高...
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2025-03-13
白光干涉中，相移技术引入的相位变化光学吧
在白光干涉中，相移技术是一种重要的测量方法，它通过引入相位变化来获取被测物体的表...
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2025-03-12
碳化硅衬底背面减薄过程，对碳化硅衬底TTV的管控碳化硅吧
在半导体材料领域，碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其独特的物理和化学...
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2025-03-12
Mach-Zehnder型干涉（马赫-曾德尔干涉）的测量原理白光干涉仪吧
Mach-Zehnder型干涉（马赫-曾德尔干涉）的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变...
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2025-02-11
SiC外延片的化学机械清洗方法晶圆吧
引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电...
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2025-02-11
继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现白光干涉仪吧
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。...
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2025-02-10
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别光学吧
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术，它们在工作原理、特点...
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2025-02-10
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法碳化硅吧
引言 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高...
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2025-02-08
白光干涉仪的膜厚测量模式原理3d扫描仪吧
白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理，通过测量反射光波的相位差或干涉...
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2025-02-08
应力消除外延生长装置及外延生长方法3d扫描仪吧
引言 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率...
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2025-02-07
白光干涉仪的光谱干涉模式原理光学测量吧
白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释...
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2025-02-07
碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法晶圆吧
引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传...
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2025-02-06
碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法半导体吧
引言 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子...
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2025-02-06
白光干涉仪中的VSI和PSI以及VXI模式的区别白光干涉仪吧
白光干涉仪是一种高精度的光学测量仪器，它利用白光干涉原理来测量物体表面的形貌和高...
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2025-01-23
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，对于测量...半导体吧
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用，对其衬底质量的检测愈发关键。BOW（翘...
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