关于“eDRAM as L4”和“eDRAM on SA”的区别:
六代以后的核显均为“eDRAM on SA”,在大多数场景下性能较“eDRAM as L4”好一些。
见
@坎达拉克沙 的帖子 /p/49819

90842 ,
摘录如下:

“上图是Haswell时代的implementation。可以看到,eDRAM是与LLC(其实就是L3$)连在一起的,而LLC内还有一小块专门的区域叫做"L4 Tags"。也就是说,eDRAM内数据的寻址是要靠L3中存储的标签的,所有要在eDRAM中存取数据的动作,都要先在L3中兜一圈,做一趟地址转换才能完成,这对速度多少会有一定的拖累。
坦白来讲,Haswell处理器中的eDRAM在实际作用中不太像是一个'RAM',没有随机存取的特性。反而,由于它和L3是近似全相联的,对存储系统理论有了解的人就会想到,这个eDRAM实际上扮演了所谓“牺牲者缓存”(victim cache)的角色。”

“这是Skylake时代的改进版,图中见不到L4的字眼了,证明英特尔官方已经不认为eDRAM是L4了……
由图可见,L3中不再存在‘L4 Tags’,并且eDRAM的控制器被剥离,直接与System Agent和内存控制器(MC)交互。这种设计虽然会导致GFX方面的数据绕的更加远一点(还要额外通过System Agent),但好处也是显而易见的:更多的操作不需要再通过L3进行地址转换,效率得到了提升。此外,与内存控制器直连的方式,使得它真正成为了内存与CPU缓存之间的有效媒介,不再是相对独立的一部分。
可以说,Haswell时代的eDRAM虽有L4之名,但无L4之实。Skylake时代恰恰相反,eDRAM不管是对开发者、用户,甚至对低级缓存系统都是透明的,虽无L4知名,却发挥了真正的L4的作用。”