原来16G的内存用了好多年,现在趁便宜double一下,三八妇女节PDD 券后418元(无券460元) 购入金百达银爵DDR4 3600 C18 海力士 32G套条 16GX2
主机13600KF处理器+B760M主板,目标先超4000MHz,再降参数。
没动前测试成绩,电压默认1.35v,如图(注意:是CR2模式)

电压默认1.35v不动,直接上4000,小参不动,成绩如图(注意:是CR2模式)

可以看到,延迟微幅降低,读写提高10%左右。
频率就定为4000MHz,够用了,在超提升有限,开始降参数,加压到1.45V,但是,无论从C18调为C17,还是降小参,都进不了系统,无奈放弃,但看着64的延迟,没进60以内有些不甘,于是BIOS内存设置把CR2模式改成CR1模式(也就是2N改成1N,或者2T改成1T,只是叫法不同),电压保持初始1.35V,延迟降到了58,成绩如图

至此超频完成,电压不动保持1.35V,频率从3600超到4000,小参不动,把CR2(兼容性好)改为CR1(性能好),整体读写速度提高15%左右,延迟降低10%左右,心满意足!
主机13600KF处理器+B760M主板,目标先超4000MHz,再降参数。
没动前测试成绩,电压默认1.35v,如图(注意:是CR2模式)

电压默认1.35v不动,直接上4000,小参不动,成绩如图(注意:是CR2模式)

可以看到,延迟微幅降低,读写提高10%左右。
频率就定为4000MHz,够用了,在超提升有限,开始降参数,加压到1.45V,但是,无论从C18调为C17,还是降小参,都进不了系统,无奈放弃,但看着64的延迟,没进60以内有些不甘,于是BIOS内存设置把CR2模式改成CR1模式(也就是2N改成1N,或者2T改成1T,只是叫法不同),电压保持初始1.35V,延迟降到了58,成绩如图

至此超频完成,电压不动保持1.35V,频率从3600超到4000,小参不动,把CR2(兼容性好)改为CR1(性能好),整体读写速度提高15%左右,延迟降低10%左右,心满意足!