代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供IRF540NPBF技术参数详解
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 16A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：71nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：130W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220AB
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 16A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：71nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：130W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220AB
