本人玩diy 超频已经有很多年头了,以前华硕,华擎,微星,映泰都用过第一次用技嘉和am5平台折腾了一个礼拜,说说超频经验以及遇到的问题,跟ddr4平台和zen3区别还是挺大的。
首先配置情况,7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32(A-DIE,锁电压)

超频的话先超内存,不然之后排查问题起来更加困难和耗费时间(血淋淋的教育,因为cpu电压问题,后面会说到)
超频教程
==============================================================
内存篇
ddr5在zen4架构上,极限超频看主板支持最高的也就6666还得搭配高端板子和cpu内存控制器体质够好,技嘉目前最低端的也支持6400,然后去查了所有b650内存支持的频率,华硕的重炮手有一条6400c30 38 38 76 1.4v的支持列表应该也是adie,那这就是我准备超的目标了。 (不太想缩的太极限,费时费力,一般找主板支持列表里最高的频率超)
首先打开expo 选择6000c32频率,接着打开 高带宽和低延迟,这里要说一下,低延迟经过我的测试发现并没有什么用但是还是一起开启吧,高带宽模式缩了几个参数,超内存太费时间验证烤机了,自己调第一时序就够了没必要再自己缩小参,除非你真的很闲,正好现在主板厂家都有高带宽模式帮你设定小参,省事多了。


这是开高带宽和不开的区别,(这技嘉bios识别不到内存时序参数,不过又偶尔能看得到,不知道为什么,只能用软件读取)但是注意一点tREFI ,开打高带宽后从12460设置成了46800,这样会导致耐温从85℃下降,这个参数对延迟影响很大,如果是闷罐建议自己按照下面公式修改为标准耐压85℃的3.9ns 。
理论上以1.95ns下,可以提升10℃到95℃,如果按照翻倍提升10℃计算 设置成2倍24960的情况下应该能维持75℃,4倍下49920是65℃,最大值65535应该能60℃左右。建议设置安全85℃范围下3.9ns,不然后续烤机报错排除原因难度增大,如果想折腾,在安全3.9ns下过测后,最后再关闭机箱侧板显卡内存双烤尽量提升tREFI。
实测现象又奇怪。以最大65535设置,80℃才报错,耐温上限下降了5℃,但是cl值非常影响温度,当设置6200c28,电压上限1.43v,trefi 最大值和标准值,在62到67℃就会报错。说明ddr5无脑放宽trefi只影响5℃,(ddr4时代bdie直接50℃就会报错,也有可能是adie太厉害了)而过低的cl值没有足够电压支撑非常影响温度上限,所以建议trefi直接设置最大。

6400频率,3.9ns标准是12480

接着倍频设置64,就是6400频率。
flck设置2133(内存的三分之一,实测并不是越高越好。脱钩虽然会能加一点写入。但是读取和延迟有会下降情况)
下面设置ulck=memck, 不同步的话会影响读取和延迟。
关闭powe down enable (此项叫低功耗模式,关闭后可以降低2ns延迟)
关闭gear down modw(这是2.5t模式,关闭后才是跑的真正的1t或者叫cr1)
关闭memoy conext restore(内存训练模式,关闭后系统开机时间增加但是内存更稳定,关闭了powe down enable不关这个可能开机蓝屏)
关闭TSME(内存保护机制,但是会增加延迟),关闭可以降低延迟。
注意:超频失败后这四项会恢复默认值
iommu打开也会略微增加0.5-1ns延迟并且不稳定,不需要使用虚拟机的也建议关闭。
新版bios后关闭第一和第三会让每次开机时间超过3分钟,只能打开了,延迟增加2-3ns。


吐槽下,技嘉bios还是挺难用的,需要自己去找,也不能搜索,bios里找不到BGS和cppc了(cppc现在合并为为pss 了)
接着是zen4影响内存超频的几个电压
注意:下在软件读取到的带vddrc才是真实内部电压,vcore是从供电出来的外部电压,也就是防掉压之前的电压!
《DDR_vdd和DDR_vddq》这就是相当于ddr4时代的内存电压。因为aide照抄时序6400c30时序,统一设置1.4v,我这内存锁电压,技嘉这里可以设置更高但是没用,依旧只有最大1.43v,这点微星做的好,直接不给设置超过1.435v。
《vddp》 DDR 总线信号(PHY)的电压,自动有可能无法6400开机。1.05v能开机,但是跑测试报错,需要设置到1.15v。设置1.2v能提高2 3度iod耐温但是有概率开机内存超频失败。 电压源于vddio,不能高于vddio-100mv,这个电压会影响iod耐温下限,推测原因是过低的电压跟umc连接不稳定,当iod温度升高体质变差时更是如此,后面会说到。

《soc voltage》为各种 IP 模块(包括但不限于内存控制器、SMU、PSP、图形等)的 SOC 上的多个内部稳压器提供外部电源。VDDCR_SOC 电压必须始终为低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默认 VDDCR_SOC 电压为 1.05V。因为新bios锁1.3v了,设置最大1.3v,同时防掉压开最高才能维持1.3v,影响iod耐温上限,flck uclk mclk高频都需要调节它。
soc频率生成fclk(if总线频率)、umc(统一内存控制器频率)
umc生产uclk(内存控制器频率)、mclk(内存频率)
影响fclk电压是vddg 、soc,umc电压是soc 。真正影响频率上限的不是fclk而是umc&uclk。
这里有个关键因素iod的问题,当iod温度上升体质变差,所需要的电压随之提高,以最大6400频率,2166fclk 3200uclk下,本来低温下1.3v够用,温度升高后稳定不住了。验证方法很简单,进行内存烤机,手指停转散热器风扇,看iod多少℃报错。

以我目前上手cpu 7600稳6400(无法6600),7600x 稳6400 ,7900x稳6200(6400只能开机),7950x稳6400(可6600开机)
以7600,当6400,soc1.3v时,设置1.1vddp联动1.2vvddio,iod温度超过58℃就会报错,vddp设置到1.2,耐温能提高的70℃,设置1.15也有66℃耐温只差4℃,但是设置1.2有概率内存超频失败还原默认值,极限超频尽量摸索保证超频稳定情况下提高vddp,当把频率下降到6200并且if和umc同步时,soc电压保持不变,vddp设置1.1v,温度上限都能提高到80℃以上。
另外一颗7600x vddp 1.2v 有概率重启时内存恢复默认最多1.18v,并且即使1.2v iod耐温也只有67℃, 1.15v耐温63℃(差距只有4℃)降6200后,1.1v到了80℃以上也没问题(不过核心过热自动关机了)。
7600的iod比7900x的温度默认要低不少。ccd比iod高了接近20℃,7900xccd和iod温度基本持平,推测7900x要支援2颗ccd,以及2颗ccd给顶盖加热的温度更高分摊到iod上导致,如果那种67℃就会报错的体质在7600上勉强能用,在7900x上可能无法开机。
综上所述soc电压决定iod温度上限,vddp决定iod温度下限,在soc锁在1.3v下后,能6400的已经不多了,就算能跑也有iod温度限制,夏天打游戏显卡温度上来了,iod升温后是稳不住的,只能降6200用。


《vcore soc》 中文叫cpu sa是从供电出来防掉压的电压,其实和上面的是一个东西,当soc voltage设置1.3后,vcore soc电压在软件里读取到的是1.35,但是反过来vcore设置1.3,soc设置自动,软件读取的ddcr_soc只有1.2v,(可能是bug)不建议在这里调soc选自动就可以。

《vddg》 Infinity Fabric 总线电压,不能高于vdd_msic-100mv,需要烤机验证,这里自动下为0.95v就行,基本不用动它。

《cpu_vddio_mem》中文叫内存终端电压,以前代表ddr4的电压,在ddr5为 VDDP_DDR 内部稳压器提供外部电源。VDDP 是 DRAM PHY 的电压。通常,VDDIO_MEM_S3 应始终高于 VDDP_DDR + 100mV。。,vddp为1.2v时,vddio 1.3v,需要烤机验证。
注意:cpu vddio和下面的spd vddio不是一个东西


《vdd_msic 》这是辅助电压,给核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 电源供电, 也就是主要为vddg供电,不能低于vddg+100mv,自动默认1.1v就够了,内存延迟不正常的情况下+它可以降低延迟。
关于温度对超频内存影响已知有
tref、cl 、vddp 、soc
tref:最大值80℃耐温与标准值85℃有5℃差距
cl: 6200C28 1.43v时,耐温只有62到67。 6200c30 1.35v时,80到85℃耐温。可能是电压不够吃c28导致耐温大幅度下降(我的内存锁电压有待验证)
soc: 当设置6400时,电压1.3v情况下,如果cpu的iod体质不够好,最高上限温度为70℃,6200时,电压1.3v,耐温80以上。
vddp:设置为1.1v时在上述6400频率时iod耐温58,1.15v时65℃,1.2v 70℃,1.25v无法开机,切换6200时,1.1v耐温都80℃以上。
总结
vddp影响高频、iod耐温,建议设置在最高能开机下。设置1.2v
soc影响umc fclk,以及iod耐温,无法高频手动调高它,建议最拉最高1.3v。
vddg影响fclk,flck上不去可以调它,默认0.95就行。
这里要注意的是效率最高的比例
fclk 1:ulck 3:mclk 3(脱钩会增加延迟)
umc:统一内存控制器=(ulck+mclk)
fclk:IF总线 ulck:内存控制器 mclk:内存
注意这些电压有联动关系。
vddio>vddp+100mv
msic>vddg+100mv
soc<vddio+100mv
没有联动电压会报错!
电压详细解读可以去参考我转载的一个外文大佬超频教程
最后使用tm5里的extreme1&anta777验证,16gx2跑3轮结束,要1小时40分钟,需要开启虚拟内存不然可能会掉线程,(其实偷懒跑一轮半个多小时也行)第二轮第三轮报错大概率是温度问题。
目前测下来基本出现的问题都是就是报错4, 网上的对错码似乎是ddr4的,对ddr5没有用,我测试soc、 vddio 、vddp、 cpu核心电压过低,都会报错4,iod温度过高会重启蓝屏报错。
特别注意 :经过测试iod温度达到上限,会出现自动重启、报错、蓝屏等现象。
最终效能图
5.4g ,tREFI24960下延迟55.2

全核心改为5.5g tfei为65535,最低延迟能到53.8ns、

提示: 开pbo的延迟会高一点点,全核心没那么高(吃的是全核心频率,频率越高延迟越低)
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首先配置情况,7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32(A-DIE,锁电压)

超频的话先超内存,不然之后排查问题起来更加困难和耗费时间(血淋淋的教育,因为cpu电压问题,后面会说到)
超频教程
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内存篇
ddr5在zen4架构上,极限超频看主板支持最高的也就6666还得搭配高端板子和cpu内存控制器体质够好,技嘉目前最低端的也支持6400,然后去查了所有b650内存支持的频率,华硕的重炮手有一条6400c30 38 38 76 1.4v的支持列表应该也是adie,那这就是我准备超的目标了。 (不太想缩的太极限,费时费力,一般找主板支持列表里最高的频率超)
首先打开expo 选择6000c32频率,接着打开 高带宽和低延迟,这里要说一下,低延迟经过我的测试发现并没有什么用但是还是一起开启吧,高带宽模式缩了几个参数,超内存太费时间验证烤机了,自己调第一时序就够了没必要再自己缩小参,除非你真的很闲,正好现在主板厂家都有高带宽模式帮你设定小参,省事多了。



这是开高带宽和不开的区别,(这技嘉bios识别不到内存时序参数,不过又偶尔能看得到,不知道为什么,只能用软件读取)但是注意一点tREFI ,开打高带宽后从12460设置成了46800,这样会导致耐温从85℃下降,这个参数对延迟影响很大,如果是闷罐建议自己按照下面公式修改为标准耐压85℃的3.9ns 。
理论上以1.95ns下,可以提升10℃到95℃,如果按照翻倍提升10℃计算 设置成2倍24960的情况下应该能维持75℃,4倍下49920是65℃,最大值65535应该能60℃左右。建议设置安全85℃范围下3.9ns,不然后续烤机报错排除原因难度增大,如果想折腾,在安全3.9ns下过测后,最后再关闭机箱侧板显卡内存双烤尽量提升tREFI。
实测现象又奇怪。以最大65535设置,80℃才报错,耐温上限下降了5℃,但是cl值非常影响温度,当设置6200c28,电压上限1.43v,trefi 最大值和标准值,在62到67℃就会报错。说明ddr5无脑放宽trefi只影响5℃,(ddr4时代bdie直接50℃就会报错,也有可能是adie太厉害了)而过低的cl值没有足够电压支撑非常影响温度上限,所以建议trefi直接设置最大。


6400频率,3.9ns标准是12480

接着倍频设置64,就是6400频率。
flck设置2133(内存的三分之一,实测并不是越高越好。脱钩虽然会能加一点写入。但是读取和延迟有会下降情况)
下面设置ulck=memck, 不同步的话会影响读取和延迟。
关闭powe down enable (此项叫低功耗模式,关闭后可以降低2ns延迟)
关闭gear down modw(这是2.5t模式,关闭后才是跑的真正的1t或者叫cr1)
关闭memoy conext restore(内存训练模式,关闭后系统开机时间增加但是内存更稳定,关闭了powe down enable不关这个可能开机蓝屏)
关闭TSME(内存保护机制,但是会增加延迟),关闭可以降低延迟。
注意:超频失败后这四项会恢复默认值
iommu打开也会略微增加0.5-1ns延迟并且不稳定,不需要使用虚拟机的也建议关闭。
新版bios后关闭第一和第三会让每次开机时间超过3分钟,只能打开了,延迟增加2-3ns。


吐槽下,技嘉bios还是挺难用的,需要自己去找,也不能搜索,bios里找不到BGS和cppc了(cppc现在合并为为pss 了)
接着是zen4影响内存超频的几个电压
注意:下在软件读取到的带vddrc才是真实内部电压,vcore是从供电出来的外部电压,也就是防掉压之前的电压!
《DDR_vdd和DDR_vddq》这就是相当于ddr4时代的内存电压。因为aide照抄时序6400c30时序,统一设置1.4v,我这内存锁电压,技嘉这里可以设置更高但是没用,依旧只有最大1.43v,这点微星做的好,直接不给设置超过1.435v。
《vddp》 DDR 总线信号(PHY)的电压,自动有可能无法6400开机。1.05v能开机,但是跑测试报错,需要设置到1.15v。设置1.2v能提高2 3度iod耐温但是有概率开机内存超频失败。 电压源于vddio,不能高于vddio-100mv,这个电压会影响iod耐温下限,推测原因是过低的电压跟umc连接不稳定,当iod温度升高体质变差时更是如此,后面会说到。

《soc voltage》为各种 IP 模块(包括但不限于内存控制器、SMU、PSP、图形等)的 SOC 上的多个内部稳压器提供外部电源。VDDCR_SOC 电压必须始终为低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默认 VDDCR_SOC 电压为 1.05V。因为新bios锁1.3v了,设置最大1.3v,同时防掉压开最高才能维持1.3v,影响iod耐温上限,flck uclk mclk高频都需要调节它。
soc频率生成fclk(if总线频率)、umc(统一内存控制器频率)
umc生产uclk(内存控制器频率)、mclk(内存频率)
影响fclk电压是vddg 、soc,umc电压是soc 。真正影响频率上限的不是fclk而是umc&uclk。
这里有个关键因素iod的问题,当iod温度上升体质变差,所需要的电压随之提高,以最大6400频率,2166fclk 3200uclk下,本来低温下1.3v够用,温度升高后稳定不住了。验证方法很简单,进行内存烤机,手指停转散热器风扇,看iod多少℃报错。

以我目前上手cpu 7600稳6400(无法6600),7600x 稳6400 ,7900x稳6200(6400只能开机),7950x稳6400(可6600开机)
以7600,当6400,soc1.3v时,设置1.1vddp联动1.2vvddio,iod温度超过58℃就会报错,vddp设置到1.2,耐温能提高的70℃,设置1.15也有66℃耐温只差4℃,但是设置1.2有概率内存超频失败还原默认值,极限超频尽量摸索保证超频稳定情况下提高vddp,当把频率下降到6200并且if和umc同步时,soc电压保持不变,vddp设置1.1v,温度上限都能提高到80℃以上。
另外一颗7600x vddp 1.2v 有概率重启时内存恢复默认最多1.18v,并且即使1.2v iod耐温也只有67℃, 1.15v耐温63℃(差距只有4℃)降6200后,1.1v到了80℃以上也没问题(不过核心过热自动关机了)。
7600的iod比7900x的温度默认要低不少。ccd比iod高了接近20℃,7900xccd和iod温度基本持平,推测7900x要支援2颗ccd,以及2颗ccd给顶盖加热的温度更高分摊到iod上导致,如果那种67℃就会报错的体质在7600上勉强能用,在7900x上可能无法开机。
综上所述soc电压决定iod温度上限,vddp决定iod温度下限,在soc锁在1.3v下后,能6400的已经不多了,就算能跑也有iod温度限制,夏天打游戏显卡温度上来了,iod升温后是稳不住的,只能降6200用。


《vcore soc》 中文叫cpu sa是从供电出来防掉压的电压,其实和上面的是一个东西,当soc voltage设置1.3后,vcore soc电压在软件里读取到的是1.35,但是反过来vcore设置1.3,soc设置自动,软件读取的ddcr_soc只有1.2v,(可能是bug)不建议在这里调soc选自动就可以。

《vddg》 Infinity Fabric 总线电压,不能高于vdd_msic-100mv,需要烤机验证,这里自动下为0.95v就行,基本不用动它。

《cpu_vddio_mem》中文叫内存终端电压,以前代表ddr4的电压,在ddr5为 VDDP_DDR 内部稳压器提供外部电源。VDDP 是 DRAM PHY 的电压。通常,VDDIO_MEM_S3 应始终高于 VDDP_DDR + 100mV。。,vddp为1.2v时,vddio 1.3v,需要烤机验证。
注意:cpu vddio和下面的spd vddio不是一个东西


《vdd_msic 》这是辅助电压,给核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 电源供电, 也就是主要为vddg供电,不能低于vddg+100mv,自动默认1.1v就够了,内存延迟不正常的情况下+它可以降低延迟。
关于温度对超频内存影响已知有
tref、cl 、vddp 、soc
tref:最大值80℃耐温与标准值85℃有5℃差距
cl: 6200C28 1.43v时,耐温只有62到67。 6200c30 1.35v时,80到85℃耐温。可能是电压不够吃c28导致耐温大幅度下降(我的内存锁电压有待验证)
soc: 当设置6400时,电压1.3v情况下,如果cpu的iod体质不够好,最高上限温度为70℃,6200时,电压1.3v,耐温80以上。
vddp:设置为1.1v时在上述6400频率时iod耐温58,1.15v时65℃,1.2v 70℃,1.25v无法开机,切换6200时,1.1v耐温都80℃以上。
总结
vddp影响高频、iod耐温,建议设置在最高能开机下。设置1.2v
soc影响umc fclk,以及iod耐温,无法高频手动调高它,建议最拉最高1.3v。
vddg影响fclk,flck上不去可以调它,默认0.95就行。
这里要注意的是效率最高的比例
fclk 1:ulck 3:mclk 3(脱钩会增加延迟)
umc:统一内存控制器=(ulck+mclk)
fclk:IF总线 ulck:内存控制器 mclk:内存
注意这些电压有联动关系。
vddio>vddp+100mv
msic>vddg+100mv
soc<vddio+100mv
没有联动电压会报错!
电压详细解读可以去参考我转载的一个外文大佬超频教程
最后使用tm5里的extreme1&anta777验证,16gx2跑3轮结束,要1小时40分钟,需要开启虚拟内存不然可能会掉线程,(其实偷懒跑一轮半个多小时也行)第二轮第三轮报错大概率是温度问题。
目前测下来基本出现的问题都是就是报错4, 网上的对错码似乎是ddr4的,对ddr5没有用,我测试soc、 vddio 、vddp、 cpu核心电压过低,都会报错4,iod温度过高会重启蓝屏报错。
特别注意 :经过测试iod温度达到上限,会出现自动重启、报错、蓝屏等现象。
最终效能图
5.4g ,tREFI24960下延迟55.2

全核心改为5.5g tfei为65535,最低延迟能到53.8ns、

提示: 开pbo的延迟会高一点点,全核心没那么高(吃的是全核心频率,频率越高延迟越低)
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