本人玩diy 超频已经有很多年头了，以前华硕，华擎，微星，映泰都用过第一次用技嘉和am5平台折腾了一个礼拜，说说超频经验以及遇到的问题，跟ddr4平台和zen3区别还是挺大的。
首先配置情况，7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32（A-DIE，锁电压）
超频的话先超内存，不然之后排查问题起来更加困难和耗费时间（血淋淋的教育，因为cpu电压问题，后面会说到）
超频教程
==============================================================
内存篇
ddr5在zen4架构上，极限超频看主板支持最高的也就6666还得搭配高端板子和cpu内存控制器体质够好，技嘉目前最低端的也支持6400，然后去查了所有b650内存支持的频率，华硕的重炮手有一条6400c30 38 38 76 1.4v的支持列表应该也是adie，那这就是我准备超的目标了。 （不太想缩的太极限，费时费力，一般找主板支持列表里最高的频率超）
首先打开expo 选择6000c32频率，接着打开 高带宽和低延迟，这里要说一下，低延迟经过我的测试发现并没有什么用但是还是一起开启吧，高带宽模式缩了几个参数，超内存太费时间验证烤机了，自己调第一时序就够了没必要再自己缩小参，除非你真的很闲，正好现在主板厂家都有高带宽模式帮你设定小参，省事多了。
这是开高带宽和不开的区别，（这技嘉bios识别不到内存时序参数，不过又偶尔能看得到，不知道为什么，只能用软件读取）但是注意一点tREFI ，开打高带宽后从12460设置成了46800，这样会导致耐温从85℃下降，这个参数对延迟影响很大，如果是闷罐建议自己按照下面公式修改为标准耐压85℃的3.9ns 。
理论上以1.95ns下，可以提升10℃到95℃，如果按照翻倍提升10℃计算 设置成2倍24960的情况下应该能维持75℃，4倍下49920是65℃，最大值65535应该能60℃左右。建议设置安全85℃范围下3.9ns，不然后续烤机报错排除原因难度增大，如果想折腾，在安全3.9ns下过测后，最后再关闭机箱侧板显卡内存双烤尽量提升tREFI。
实测现象又奇怪。以最大65535设置，80℃才报错，耐温上限下降了5℃，但是cl值非常影响温度，当设置6200c28，电压上限1.43v，trefi 最大值和标准值，在62到67℃就会报错。说明ddr5无脑放宽trefi只影响5℃，（ddr4时代bdie直接50℃就会报错，也有可能是adie太厉害了）而过低的cl值没有足够电压支撑非常影响温度上限，所以建议trefi直接设置最大。
6400频率，3.9ns标准是12480
接着倍频设置64，就是6400频率。
flck设置2133（内存的三分之一，实测并不是越高越好。脱钩虽然会能加一点写入。但是读取和延迟有会下降情况）
下面设置ulck＝memck， 不同步的话会影响读取和延迟。
关闭powe down enable （此项叫低功耗模式，关闭后可以降低2ns延迟）
关闭gear down modw（这是2.5t模式，关闭后才是跑的真正的1t或者叫cr1）
关闭memoy conext restore（内存训练模式，关闭后系统开机时间增加但是内存更稳定，关闭了powe down enable不关这个可能开机蓝屏）
关闭TSME（内存保护机制，但是会增加延迟），关闭可以降低延迟。
注意:超频失败后这四项会恢复默认值
iommu打开也会略微增加0.5-1ns延迟并且不稳定，不需要使用虚拟机的也建议关闭。
新版bios后关闭第一和第三会让每次开机时间超过3分钟，只能打开了，延迟增加2-3ns。
吐槽下，技嘉bios还是挺难用的，需要自己去找，也不能搜索，bios里找不到BGS和cppc了（cppc现在合并为为pss 了）
接着是zen4影响内存超频的几个电压
注意:下在软件读取到的带vddrc才是真实内部电压，vcore是从供电出来的外部电压，也就是防掉压之前的电压！
《DDR_vdd和DDR_vddq》这就是相当于ddr4时代的内存电压。因为aide照抄时序6400c30时序，统一设置1.4v，我这内存锁电压，技嘉这里可以设置更高但是没用，依旧只有最大1.43v，这点微星做的好，直接不给设置超过1.435v。
《vddp》 DDR 总线信号（PHY）的电压，自动有可能无法6400开机。1.05v能开机，但是跑测试报错，需要设置到1.15v。设置1.2v能提高2 3度iod耐温但是有概率开机内存超频失败。 电压源于vddio，不能高于vddio-100mv，这个电压会影响iod耐温下限，推测原因是过低的电压跟umc连接不稳定，当iod温度升高体质变差时更是如此，后面会说到。
《soc voltage》为各种 IP 模块（包括但不限于内存控制器、SMU、PSP、图形等）的 SOC 上的多个内部稳压器提供外部电源。VDDCR_SOC 电压必须始终为低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默认 VDDCR_SOC 电压为 1.05V。因为新bios锁1.3v了，设置最大1.3v，同时防掉压开最高才能维持1.3v，影响iod耐温上限，flck uclk mclk高频都需要调节它。
soc频率生成fclk（if总线频率）、umc（统一内存控制器频率）
umc生产uclk（内存控制器频率）、mclk（内存频率）
影响fclk电压是vddg 、soc，umc电压是soc 。真正影响频率上限的不是fclk而是umc&uclk。
这里有个关键因素iod的问题，当iod温度上升体质变差，所需要的电压随之提高，以最大6400频率，2166fclk 3200uclk下，本来低温下1.3v够用，温度升高后稳定不住了。验证方法很简单，进行内存烤机，手指停转散热器风扇，看iod多少℃报错。
以我目前上手cpu 7600稳6400（无法6600），7600x 稳6400 ，7900x稳6200（6400只能开机），7950x稳6400（可6600开机）
以7600，当6400，soc1.3v时，设置1.1vddp联动1.2vvddio，iod温度超过58℃就会报错，vddp设置到1.2，耐温能提高的70℃，设置1.15也有66℃耐温只差4℃，但是设置1.2有概率内存超频失败还原默认值，极限超频尽量摸索保证超频稳定情况下提高vddp，当把频率下降到6200并且if和umc同步时，soc电压保持不变，vddp设置1.1v，温度上限都能提高到80℃以上。
另外一颗7600x vddp 1.2v 有概率重启时内存恢复默认最多1.18v，并且即使1.2v iod耐温也只有67℃， 1.15v耐温63℃（差距只有4℃）降6200后，1.1v到了80℃以上也没问题（不过核心过热自动关机了）。
7600的iod比7900x的温度默认要低不少。ccd比iod高了接近20℃，7900xccd和iod温度基本持平，推测7900x要支援2颗ccd，以及2颗ccd给顶盖加热的温度更高分摊到iod上导致，如果那种67℃就会报错的体质在7600上勉强能用，在7900x上可能无法开机。
综上所述soc电压决定iod温度上限，vddp决定iod温度下限，在soc锁在1.3v下后，能6400的已经不多了，就算能跑也有iod温度限制，夏天打游戏显卡温度上来了，iod升温后是稳不住的，只能降6200用。
《vcore soc》 中文叫cpu sa是从供电出来防掉压的电压，其实和上面的是一个东西，当soc voltage设置1.3后，vcore soc电压在软件里读取到的是1.35，但是反过来vcore设置1.3，soc设置自动，软件读取的ddcr_soc只有1.2v，（可能是bug）不建议在这里调soc选自动就可以。
《vddg》 Infinity Fabric 总线电压，不能高于vdd_msic-100mv，需要烤机验证，这里自动下为0.95v就行，基本不用动它。
《cpu_vddio_mem》中文叫内存终端电压，以前代表ddr4的电压，在ddr5为 VDDP_DDR 内部稳压器提供外部电源。VDDP 是 DRAM PHY 的电压。通常，VDDIO_MEM_S3 应始终高于 VDDP_DDR + 100mV。。，vddp为1.2v时，vddio 1.3v，需要烤机验证。
注意:cpu vddio和下面的spd vddio不是一个东西
《vdd_msic 》这是辅助电压，给核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 电源供电， 也就是主要为vddg供电，不能低于vddg+100mv，自动默认1.1v就够了，内存延迟不正常的情况下+它可以降低延迟。
关于温度对超频内存影响已知有
tref、cl 、vddp 、soc
tref:最大值80℃耐温与标准值85℃有5℃差距
cl: 6200C28 1.43v时，耐温只有62到67。 6200c30 1.35v时，80到85℃耐温。可能是电压不够吃c28导致耐温大幅度下降（我的内存锁电压有待验证）
soc: 当设置6400时，电压1.3v情况下，如果cpu的iod体质不够好，最高上限温度为70℃，6200时，电压1.3v，耐温80以上。
vddp:设置为1.1v时在上述6400频率时iod耐温58，1.15v时65℃，1.2v 70℃，1.25v无法开机，切换6200时，1.1v耐温都80℃以上。
总结
vddp影响高频、iod耐温，建议设置在最高能开机下。设置1.2v
soc影响umc fclk，以及iod耐温，无法高频手动调高它，建议最拉最高1.3v。
vddg影响fclk，flck上不去可以调它，默认0.95就行。
这里要注意的是效率最高的比例
fclk 1:ulck 3:mclk 3（脱钩会增加延迟）
umc：统一内存控制器＝（ulck+mclk）
fclk:IF总线 ulck:内存控制器 mclk:内存
注意这些电压有联动关系。
vddio＞vddp+100mv
msic＞vddg+100mv
soc＜vddio+100mv
没有联动电压会报错！
电压详细解读可以去参考我转载的一个外文大佬超频教程
最后使用tm5里的extreme1&anta777验证，16gx2跑3轮结束，要1小时40分钟，需要开启虚拟内存不然可能会掉线程，（其实偷懒跑一轮半个多小时也行）第二轮第三轮报错大概率是温度问题。
目前测下来基本出现的问题都是就是报错4， 网上的对错码似乎是ddr4的，对ddr5没有用，我测试soc、 vddio 、vddp、 cpu核心电压过低，都会报错4，iod温度过高会重启蓝屏报错。
特别注意 :经过测试iod温度达到上限，会出现自动重启、报错、蓝屏等现象。
最终效能图
5.4g ，tREFI24960下延迟55.2
全核心改为5.5g tfei为65535，最低延迟能到53.8ns、
提示: 开pbo的延迟会高一点点，全核心没那么高（吃的是全核心频率，频率越高延迟越低）
==============================================================
首先配置情况，7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32（A-DIE，锁电压）
超频的话先超内存，不然之后排查问题起来更加困难和耗费时间（血淋淋的教育，因为cpu电压问题，后面会说到）
超频教程
==============================================================
内存篇
ddr5在zen4架构上，极限超频看主板支持最高的也就6666还得搭配高端板子和cpu内存控制器体质够好，技嘉目前最低端的也支持6400，然后去查了所有b650内存支持的频率，华硕的重炮手有一条6400c30 38 38 76 1.4v的支持列表应该也是adie，那这就是我准备超的目标了。 （不太想缩的太极限，费时费力，一般找主板支持列表里最高的频率超）
首先打开expo 选择6000c32频率，接着打开 高带宽和低延迟，这里要说一下，低延迟经过我的测试发现并没有什么用但是还是一起开启吧，高带宽模式缩了几个参数，超内存太费时间验证烤机了，自己调第一时序就够了没必要再自己缩小参，除非你真的很闲，正好现在主板厂家都有高带宽模式帮你设定小参，省事多了。
这是开高带宽和不开的区别，（这技嘉bios识别不到内存时序参数，不过又偶尔能看得到，不知道为什么，只能用软件读取）但是注意一点tREFI ，开打高带宽后从12460设置成了46800，这样会导致耐温从85℃下降，这个参数对延迟影响很大，如果是闷罐建议自己按照下面公式修改为标准耐压85℃的3.9ns 。
理论上以1.95ns下，可以提升10℃到95℃，如果按照翻倍提升10℃计算 设置成2倍24960的情况下应该能维持75℃，4倍下49920是65℃，最大值65535应该能60℃左右。建议设置安全85℃范围下3.9ns，不然后续烤机报错排除原因难度增大，如果想折腾，在安全3.9ns下过测后，最后再关闭机箱侧板显卡内存双烤尽量提升tREFI。
实测现象又奇怪。以最大65535设置，80℃才报错，耐温上限下降了5℃，但是cl值非常影响温度，当设置6200c28，电压上限1.43v，trefi 最大值和标准值，在62到67℃就会报错。说明ddr5无脑放宽trefi只影响5℃，（ddr4时代bdie直接50℃就会报错，也有可能是adie太厉害了）而过低的cl值没有足够电压支撑非常影响温度上限，所以建议trefi直接设置最大。
6400频率，3.9ns标准是12480
接着倍频设置64，就是6400频率。
flck设置2133（内存的三分之一，实测并不是越高越好。脱钩虽然会能加一点写入。但是读取和延迟有会下降情况）
下面设置ulck＝memck， 不同步的话会影响读取和延迟。
关闭powe down enable （此项叫低功耗模式，关闭后可以降低2ns延迟）
关闭gear down modw（这是2.5t模式，关闭后才是跑的真正的1t或者叫cr1）
关闭memoy conext restore（内存训练模式，关闭后系统开机时间增加但是内存更稳定，关闭了powe down enable不关这个可能开机蓝屏）
关闭TSME（内存保护机制，但是会增加延迟），关闭可以降低延迟。
注意:超频失败后这四项会恢复默认值
iommu打开也会略微增加0.5-1ns延迟并且不稳定，不需要使用虚拟机的也建议关闭。
新版bios后关闭第一和第三会让每次开机时间超过3分钟，只能打开了，延迟增加2-3ns。
吐槽下，技嘉bios还是挺难用的，需要自己去找，也不能搜索，bios里找不到BGS和cppc了（cppc现在合并为为pss 了）
接着是zen4影响内存超频的几个电压
注意:下在软件读取到的带vddrc才是真实内部电压，vcore是从供电出来的外部电压，也就是防掉压之前的电压！
《DDR_vdd和DDR_vddq》这就是相当于ddr4时代的内存电压。因为aide照抄时序6400c30时序，统一设置1.4v，我这内存锁电压，技嘉这里可以设置更高但是没用，依旧只有最大1.43v，这点微星做的好，直接不给设置超过1.435v。
《vddp》 DDR 总线信号（PHY）的电压，自动有可能无法6400开机。1.05v能开机，但是跑测试报错，需要设置到1.15v。设置1.2v能提高2 3度iod耐温但是有概率开机内存超频失败。 电压源于vddio，不能高于vddio-100mv，这个电压会影响iod耐温下限，推测原因是过低的电压跟umc连接不稳定，当iod温度升高体质变差时更是如此，后面会说到。
《soc voltage》为各种 IP 模块（包括但不限于内存控制器、SMU、PSP、图形等）的 SOC 上的多个内部稳压器提供外部电源。VDDCR_SOC 电压必须始终为低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默认 VDDCR_SOC 电压为 1.05V。因为新bios锁1.3v了，设置最大1.3v，同时防掉压开最高才能维持1.3v，影响iod耐温上限，flck uclk mclk高频都需要调节它。
soc频率生成fclk（if总线频率）、umc（统一内存控制器频率）
umc生产uclk（内存控制器频率）、mclk（内存频率）
影响fclk电压是vddg 、soc，umc电压是soc 。真正影响频率上限的不是fclk而是umc&uclk。
这里有个关键因素iod的问题，当iod温度上升体质变差，所需要的电压随之提高，以最大6400频率，2166fclk 3200uclk下，本来低温下1.3v够用，温度升高后稳定不住了。验证方法很简单，进行内存烤机，手指停转散热器风扇，看iod多少℃报错。
以我目前上手cpu 7600稳6400（无法6600），7600x 稳6400 ，7900x稳6200（6400只能开机），7950x稳6400（可6600开机）
以7600，当6400，soc1.3v时，设置1.1vddp联动1.2vvddio，iod温度超过58℃就会报错，vddp设置到1.2，耐温能提高的70℃，设置1.15也有66℃耐温只差4℃，但是设置1.2有概率内存超频失败还原默认值，极限超频尽量摸索保证超频稳定情况下提高vddp，当把频率下降到6200并且if和umc同步时，soc电压保持不变，vddp设置1.1v，温度上限都能提高到80℃以上。
另外一颗7600x vddp 1.2v 有概率重启时内存恢复默认最多1.18v，并且即使1.2v iod耐温也只有67℃， 1.15v耐温63℃（差距只有4℃）降6200后，1.1v到了80℃以上也没问题（不过核心过热自动关机了）。
7600的iod比7900x的温度默认要低不少。ccd比iod高了接近20℃，7900xccd和iod温度基本持平，推测7900x要支援2颗ccd，以及2颗ccd给顶盖加热的温度更高分摊到iod上导致，如果那种67℃就会报错的体质在7600上勉强能用，在7900x上可能无法开机。
综上所述soc电压决定iod温度上限，vddp决定iod温度下限，在soc锁在1.3v下后，能6400的已经不多了，就算能跑也有iod温度限制，夏天打游戏显卡温度上来了，iod升温后是稳不住的，只能降6200用。
《vcore soc》 中文叫cpu sa是从供电出来防掉压的电压，其实和上面的是一个东西，当soc voltage设置1.3后，vcore soc电压在软件里读取到的是1.35，但是反过来vcore设置1.3，soc设置自动，软件读取的ddcr_soc只有1.2v，（可能是bug）不建议在这里调soc选自动就可以。
《vddg》 Infinity Fabric 总线电压，不能高于vdd_msic-100mv，需要烤机验证，这里自动下为0.95v就行，基本不用动它。
《cpu_vddio_mem》中文叫内存终端电压，以前代表ddr4的电压，在ddr5为 VDDP_DDR 内部稳压器提供外部电源。VDDP 是 DRAM PHY 的电压。通常，VDDIO_MEM_S3 应始终高于 VDDP_DDR + 100mV。。，vddp为1.2v时，vddio 1.3v，需要烤机验证。
注意:cpu vddio和下面的spd vddio不是一个东西
《vdd_msic 》这是辅助电压，给核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 电源供电， 也就是主要为vddg供电，不能低于vddg+100mv，自动默认1.1v就够了，内存延迟不正常的情况下+它可以降低延迟。
关于温度对超频内存影响已知有
tref、cl 、vddp 、soc
tref:最大值80℃耐温与标准值85℃有5℃差距
cl: 6200C28 1.43v时，耐温只有62到67。 6200c30 1.35v时，80到85℃耐温。可能是电压不够吃c28导致耐温大幅度下降（我的内存锁电压有待验证）
soc: 当设置6400时，电压1.3v情况下，如果cpu的iod体质不够好，最高上限温度为70℃，6200时，电压1.3v，耐温80以上。
vddp:设置为1.1v时在上述6400频率时iod耐温58，1.15v时65℃，1.2v 70℃，1.25v无法开机，切换6200时，1.1v耐温都80℃以上。
总结
vddp影响高频、iod耐温，建议设置在最高能开机下。设置1.2v
soc影响umc fclk，以及iod耐温，无法高频手动调高它，建议最拉最高1.3v。
vddg影响fclk，flck上不去可以调它，默认0.95就行。
这里要注意的是效率最高的比例
fclk 1:ulck 3:mclk 3（脱钩会增加延迟）
umc：统一内存控制器＝（ulck+mclk）
fclk:IF总线 ulck:内存控制器 mclk:内存
注意这些电压有联动关系。
vddio＞vddp+100mv
msic＞vddg+100mv
soc＜vddio+100mv
没有联动电压会报错！
电压详细解读可以去参考我转载的一个外文大佬超频教程
最后使用tm5里的extreme1&anta777验证，16gx2跑3轮结束，要1小时40分钟，需要开启虚拟内存不然可能会掉线程，（其实偷懒跑一轮半个多小时也行）第二轮第三轮报错大概率是温度问题。
目前测下来基本出现的问题都是就是报错4， 网上的对错码似乎是ddr4的，对ddr5没有用，我测试soc、 vddio 、vddp、 cpu核心电压过低，都会报错4，iod温度过高会重启蓝屏报错。
特别注意 :经过测试iod温度达到上限，会出现自动重启、报错、蓝屏等现象。
最终效能图
5.4g ，tREFI24960下延迟55.2
全核心改为5.5g tfei为65535，最低延迟能到53.8ns、
提示: 开pbo的延迟会高一点点，全核心没那么高（吃的是全核心频率，频率越高延迟越低）
==============================================================
"
👍🏻
李逍遥
现在就开了个5000mhz，内存电压1.38v，soc电压1.3v，然后还是有几率蓝
