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摘要：今年12月，加拿大半导体行业观察机构TechInsights发布了其对龙芯 3A6000 处理器的研究报告。报告中称，这款芯片大概率使用了中芯国际的12nm FinFET 工艺，并结合了 HKMG 等先进技术。部分内容选译如下：
这块 LS3A6000_MZD_130 硅片是从一块龙芯3A6000处理器上取下来的。这块CPU使用了 FC-BGA 的封装工艺，内含一块代号 MZD_130的硅片。
这片 LS3A6000_MZD_130 硅片很有可是从中芯国际使用300mm（8英寸）晶圆，并采用12nm FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺与HKMG（高K值金属栅极）技术加工而来的。为了得出这一结论，我们将其与使用早先的中芯国际14nm工艺（麒麟710A用的）以及台积电12nm FFC 工艺的产品进行了详细对比。在细节上，它们有如下的显著不同：
中芯12nm工艺的最小 mental 2 间距为51nm，而中芯老14nm的这一数值为64nm，使得7.5 track 逻辑单元（logic cell）的高度从480nm降低到了383nm。这一改变令逻辑单元的密度提升了25%，从而缩小了与台积电12nm工艺的差距（台积电的高度为376nm）。
本品标准逻辑单元鳍片间的最小间距与中芯老14nm一致（48nm），不同于台积电12nm的最小间距（47nm）。
本品的CGP（相邻晶体管栅极间的最小距离）为逻辑部分96nm，缓存部分90nm，这较中芯老14nm的全部96nm有所改善，并与台积电12nm的全部94nm有所不同。
本品有14根金属互连线，其中有13根铜线和1根铝线；这与中芯老14nm和台积电12nm的9根线（8铜+1铝）不同。
原文部分截图：