我们国家有激光等离子体,放电等离子体,激光诱导放电等离子体,同步辐射加速器等技术路线同步推进。
今天,国产高端EUV光刻机则采用“激光诱导放电等离子体”(LDP)技术路线,完全摆脱ASML的激光等离子体(LPP)技术路线。形成具有中国自主知识产权的EUV光刻机技术路线。
国产高端EUV光刻机所使用的激光诱导放电等离子体技术路线,是将激光等离子体和放电等离子体技术路线相结合,最终形成的技术路线,这个技术路线和ASML的激光等离子体技术路线相比,具有更高的能量释放,更低的制造成本,更好的环境适应性等优势。该设备在通过国家验收之后,让国外的博主和媒体纷纷替ASML的前景感到担心。
激光诱导放电等离子体的技术原理是:激光将少量的锡蒸发成位于两个电极之间的锡蒸气云。接着,通过在这两个电极间施加高电压,使锡蒸气云中的电子和离子在电场的作用下发生碰撞,这些碰撞释放出能量,从而产生极紫外光。有点类似于我们生活中常见的雷电,虽能听到云层上轰轰隆隆的各种声音,但是最终我们所能看到的是闪电,这个闪电就可以看作激光诱导放电等离子体的极紫外光。
国产高端EUV光刻机进度飞快,目前正在国家极端光学技术与仪器全国重点实验室内进行组装,中文名称为“EUV光刻物镜装调干涉仪”。用中国技术路线,中国方式,中国命名,具有中国自主知识产权的,100%中国自主制造的,高端的EUV光刻机。随着组装和正式量产的快速突破,未来中国在芯片产业链领域,将大大的减少对进口设备的依赖,ASML还想继续用低端设备吸血中国,已经变得越来越困难。
今天,国产高端EUV光刻机则采用“激光诱导放电等离子体”(LDP)技术路线,完全摆脱ASML的激光等离子体(LPP)技术路线。形成具有中国自主知识产权的EUV光刻机技术路线。
国产高端EUV光刻机所使用的激光诱导放电等离子体技术路线,是将激光等离子体和放电等离子体技术路线相结合,最终形成的技术路线,这个技术路线和ASML的激光等离子体技术路线相比,具有更高的能量释放,更低的制造成本,更好的环境适应性等优势。该设备在通过国家验收之后,让国外的博主和媒体纷纷替ASML的前景感到担心。
激光诱导放电等离子体的技术原理是:激光将少量的锡蒸发成位于两个电极之间的锡蒸气云。接着,通过在这两个电极间施加高电压,使锡蒸气云中的电子和离子在电场的作用下发生碰撞,这些碰撞释放出能量,从而产生极紫外光。有点类似于我们生活中常见的雷电,虽能听到云层上轰轰隆隆的各种声音,但是最终我们所能看到的是闪电,这个闪电就可以看作激光诱导放电等离子体的极紫外光。
国产高端EUV光刻机进度飞快,目前正在国家极端光学技术与仪器全国重点实验室内进行组装,中文名称为“EUV光刻物镜装调干涉仪”。用中国技术路线,中国方式,中国命名,具有中国自主知识产权的,100%中国自主制造的,高端的EUV光刻机。随着组装和正式量产的快速突破,未来中国在芯片产业链领域,将大大的减少对进口设备的依赖,ASML还想继续用低端设备吸血中国,已经变得越来越困难。