【成果简介】12英寸高纯钴靶材是超大规模集成电路逻辑芯片和DRAM存储芯片制备用关键材料之一。其主要用于130nm及以下集成电路技术接触层，可降低器件阻抗与功耗，提升驱动电流、频率响应和操作速度。同时，在1xnm以下先进制程中，高纯钴替换钨接触孔和铜互连线，可使芯片导电性能提高3.7倍。
12英寸钴靶材对于纯度、微观组织、磁性能、焊接性能等方要求及其严格，国际上真正掌握技术并量产的仅有日本一家公司。有研亿金通过自主创新，全面突破高纯钴原材料制备到高性能靶材制备的核心技术，性能全面满足客户需求，通过全球最领先的集成电路制造企业的验证考核，供应国内外知名集成电路企业，已经形成具有自主知识产权的制造技术及批量供应能力。技术成熟度达到9级。
12英寸钴靶材对于纯度、微观组织、磁性能、焊接性能等方要求及其严格，国际上真正掌握技术并量产的仅有日本一家公司。有研亿金通过自主创新，全面突破高纯钴原材料制备到高性能靶材制备的核心技术，性能全面满足客户需求，通过全球最领先的集成电路制造企业的验证考核，供应国内外知名集成电路企业，已经形成具有自主知识产权的制造技术及批量供应能力。技术成熟度达到9级。
