4月10日，电子科技大学基础与前沿研究院刘奥教授和物理学院朱慧慧研究员的最新研究成果以“Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors”为题上线Nature“加速预览”（Accelerated Article Preview，AAP）。
AAP作为Nature杂志的提前在线发布形式之一，是对期刊编辑、同行科学家认为的具有重大科学意义研究成果的加速报道。该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。
该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。论文第一单位为电子科技大学基础与前沿研究院，刘奥教授为论文第一作者和通讯作者，电子科技大学物理学院朱慧慧研究员和韩国浦项科技大学的Yong-Young Noh为论文共同通讯作者。