网上流传光刻机套刻精度8NM，很多人以为可以生产8nm芯片，实际上是光刻机是用双工作台提高效率，套刻精度这个是两个芯片之间误差，8nm的误差，误差太大根本无法做多层曝光，65NM光刻机想要采用N+1工艺来生产45nm芯片，套刻精度要在5nm以内才行。
还有很多人嘲笑俄罗斯光刻机，实际上俄罗斯2026年生产65NM光刻机，基本上一个水平。
光刻机要突破，套刻精度要小于5nm，然后做浸润式光刻机，这样才能生产28nm芯片，按照欧美发展的时间，2033年能突破，但是我们肯定快，希望5年内能突破。